鸿海第四代半导体研究取得大突破

鸿海持续布局先进技术，卡位电动车、卫星通讯等前瞻应用商机，15日宣布旗下鸿海研究院半导体所与阳明交通大学、德州大学奥斯汀分校进行跨国合作，投入第四代半导体的研究，近日已在卫星通讯及高功率元件领域取得显着突破; 研究成果已发表在国际顶级期刊《Applied Surface Science Advances》及《ACS Applied Electronic Materials》，第四代半导体可应用于电动车与快充技术、高压电力设备、太空与航天科技。

第四代半导体指的是超宽能隙（UWBG）半导体材料，如钻石、AlN等，相较于前三代半导体，它们具有更宽的能隙使其在高功率、高频、高温环境下表现更优异。

研究团队从材料特性与制程研发角度出发，发现增加氧气流量可适时降低氧空位比例，改善结晶品质并减少铝扩散，提升热稳定性与组件特性。

鸿海研究院指出，这项成果将为通讯及高功率等领域带来深远影响; 第四代半导体可应用于电动车与快充技术、高压电力设备、太空与航天科技。

鸿海研究院进一步说明，本项研究在第四代半导体领域取得显著突破，为未来通讯技术和高功率领域应用奠定了基础; 研究团队未来计划进一步优化改善结构设计与制程技术，为全球高功率电子产业注入新动能。

国立阳明交通大学则表示，此一研究不仅提升组件的电流驱动能力和耐压性，更透过精确的成长参数与结构设计，为未来产业应用开辟了新道路。

针对鸿海半导体布局，鸿海董事长刘扬伟先前表示，鸿海在第三代半导体，从碳化硅（SiC）到硅等，都一直在研发与发展中，会持续布局第三代半导体，包括氮化镓（GaN）、碳化硅及硅基氮化镓（GaN on Si）等。 而鸿海不仅有IC设计服务，还有封装，目前是先锁定车用芯片，之后会规划拓展至卫星产业相关的芯片等方向。